[发明专利]基于黑磷光饱和吸收体的被动锁模激光器在审
| 申请号： | 201610002465.X | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105428983A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陆荣国;叶胜威;田朝辉;夏瑞杰;寿晓峰;张尚剑;刘永 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;H01S3/11 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 李春芳 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于黑磷光饱和吸收体的被动锁模激光器，包括：半导体光放大器，由从下往上依次设置的衬底层（1）、缓冲层（2）、下光包层（3）、下势垒层（4）、有源层（5）、上势垒层（9）、上光包层（10）及欧姆接触层（11）组成；还包括光谐振腔，光谐振腔包括设置在下势垒层（4）上端面的第一光栅结构（6）和第二光栅结构（7），第一光栅结构（6）和第二光栅结构（7）分别位于有源层（5）的两侧，第一光栅结构（6）和第二光栅结构（7）具有相同的中心波长，第二光栅结构（7）的光出射端面还设置有作为光饱和吸收体的黑磷层（8）。本发明兼容性好，实现了可集成、高稳定性、窄脉宽、高能量脉冲的被动锁模激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磷光 饱和 吸收体 被动 激光器 | ||
【主权项】：
基于黑磷光饱和吸收体的被动锁模激光器，包括： 半导体光放大器，由从下往上依次设置的衬底层（1）、缓冲层（2）、下光包层（3）、下势垒层（4）、有源层（5）、上势垒层（9）、上光包层（10）及欧姆接触层（11）组成；其特征在于，该被动锁模激光器还包括光谐振腔，光谐振腔包括设置在下势垒层（4）上端面的第一光栅结构（6）和第二光栅结构（7），第一光栅结构（6）和第二光栅结构（7）分别位于有源层（5）的两侧，所述第一光栅结构（6）和第二光栅结构（7）具有相同的中心波长；所述第二光栅结构（7）的光出射端面还设置有作为光饱和吸收体的黑磷层（8）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610002465.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种飞秒绿光同步泵浦的飞秒光学参量振荡器
- 下一篇：线束加工工装及加工方法
