[发明专利]一种TFT背板、其制备方法及显示装置在审
| 申请号： | 201610003204.X | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN105655347A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 徐岩 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/768;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT背板的制备工艺，包括如下步骤：S1：在基板上依次形成缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、第一金属层，所述第一金属层经刻蚀形成栅极层；S2、在步骤S1的基础上沉积电容绝缘材料层，再溅镀形成第二金属层，刻蚀所述第二金属层形成电容层，再以电容层做掩膜版刻蚀电容绝缘材料层以暴露半导体层两端的部分区域，形成电容绝缘层；S3、在步骤S2的基础上沉积层间绝缘层，刻蚀层间绝缘层和栅极绝缘层形成接触孔使所述半导体层暴露；S4、在步骤S3的基础上沉积金属材料，刻蚀后形成源漏极。本发明提供的工艺通过减少刻孔工艺总膜层厚度，降低刻孔工艺难度，进而提高TFT电气特性稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 背板 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种TFT背板的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1：在基板上依次形成缓冲层、半导体层(03)、栅极绝缘层(04)、第一金属层，所述第一金属层经刻蚀形成栅极层(05)；S2、在步骤S1的基础上沉积电容绝缘材料层，再溅镀形成第二金属层，刻蚀所述第二金属层形成电容层(07)，再以电容层(07)做掩膜版刻蚀电容绝缘材料层以暴露半导体层(03)两端的部分区域，形成电容绝缘层(06)；S3、在步骤S2的基础上沉积层间绝缘层，刻蚀层间绝缘层(08)和栅极绝缘层(04)形成贯穿层间绝缘层(08)和栅极绝缘层(04)的接触孔；S4、在步骤S3的基础上沉积金属材料，刻蚀后形成源漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
