[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201610004422.5 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN105529301B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 李正亮;舒适;曹占锋;张斌;何晓龙;姚琪;高锦成;关峰;孙雪菲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 鞠永善 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成由金属黑化物构成的遮光层，所述金属黑化物为对金属进行黑化处理后的产物；在形成有所述遮光层的衬底基板上形成预设膜层；通过一次构图工艺形成所述遮光层的图案和所述预设膜层的图案。本发明通过使用金属黑化物形成遮光层，金属黑化物的导电性能较差，因而可以在形成有遮光层的衬底基板上继续形成预设膜层，之后再通过一次构图工艺形成遮光层的图案和预设膜层的图案，节省了一次构图工艺步骤，解决了相关技术中阵列基板的制作过程较为复杂、成本较高的问题，达到了使阵列基板的制造过程较为简便、节省成本的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成由金属构成的底层遮光层；在衬底基板上形成由金属黑化物构成的遮光层，所述金属黑化物为对金属进行黑化处理后的产物；通过等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺在形成有所述遮光层的衬底基板上形成预设膜层；通过一次构图工艺形成所述底层遮光层的图案、所述遮光层的图案和所述预设膜层的图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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