[发明专利]非易失性存储单元和包括其的非易失性存储单元阵列有效
| 申请号： | 201610005222.1 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106057240B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 权永俊 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;H01L21/28;H01L29/66;H01L29/788;H01L29/423;H01L27/11517;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 非易失性存储器件包括：电荷储存元件，具有MOS电容器结构，且包括连接至字线的控制栅极端子和连接至基体偏置线的基体端子；第一半MOS晶体管，具有连接至字线的第一选择栅极端子和连接至位线的第一杂质结端子，且与电荷储存元件共享基体端子；以及第二半MOS晶体管，具有连接至字线的第二选择栅极端子和连接至源极线的第二杂质结端子，且与电荷储存元件共享基体端子。电荷储存元件耦接在第一半MOS晶体管与第二半MOS晶体管之间，使得第一半MOS晶体管、电荷储存元件以及第二半MOS晶体管串联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 包括 阵列 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：电荷储存元件，具有MOS电容器结构，且包括连接至字线的控制栅极端子和连接至基体偏置线的基体端子；第一半MOS晶体管，具有连接至所述字线的第一选择栅极端子和连接至位线的第一杂质结端子，且与电荷储存元件共享基体端子；以及第二半MOS晶体管，具有连接至所述字线的第二选择栅极端子和连接至源极线的第二杂质结端子，且与电荷储存元件共享基体端子，其中，电荷储存元件耦接在第一半MOS晶体管与第二半MOS晶体管之间，使得第一半MOS晶体管、电荷储存元件以及第二半MOS晶体管串联连接。
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