[发明专利]波导及其形成方法有效
| 申请号： | 201610005308.4 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106941205B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01P3/18 | 分类号： | H01P3/18 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡杰赟;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种波导及其形成方法，所述波导的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成黑磷层以及位于所述黑磷层上的石墨烯层；在所述石墨烯层上形成图形化的掩膜层；刻蚀所述石墨烯层和所述黑磷层，直至暴露出所述基底；去除所述图形化的掩膜层。本发明的所形成波导的吸收和散射损耗小。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种波导的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底上形成黑磷层以及位于所述黑磷层上的石墨烯层；/n在所述石墨烯层上形成图形化的掩膜层；/n刻蚀所述石墨烯层和所述黑磷层，直至暴露出所述基底；/n去除所述图形化的掩膜层；/n在所述基底上形成黑磷层以及位于所述黑磷层上的石墨烯层包括：/n在所述基底上形成红磷层；/n在所述红磷层上形成硅包覆层、以及位于所述硅包覆层上的含碳材料层；/n对所述红磷层、硅包覆层和含碳材料层进行热处理，使所述红磷层形成黑磷层，所述硅包覆层和所述含碳材料层形成石墨烯层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610005308.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
