[发明专利]具有替代通道材料的电性绝缘鳍片结构及其制法

摘要

本发明涉及具有替代通道材料的电性绝缘鳍片结构及其制法。提供数种半导体结构及制造方法，例如，该方法包含用下列步骤来制造半导体鳍片结构：提供在衬底上方延伸的鳍片结构，该鳍片结构包含第一鳍片部分、配置于该第一鳍片部分上面的第二鳍片部分、以及在该第一及该第二鳍片部分之间的介面，其中该第一鳍片部分与该第二鳍片部分在该鳍片结构内呈晶格失配；以及部分修改该鳍片结构以得到改质鳍片结构，该修改步骤包含：选择性氧化该介面以在该改质鳍片结构内形成隔离区，其中该隔离区电性隔离该第一鳍片部分与该第二鳍片部分，同时维持该改质鳍片结构的结构稳定性。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，其包含：/n制造半导体鳍片结构，所述制造包含：/n提供在衬底上方延伸的鳍片结构，所述鳍片结构包含第一鳍片部分、配置于所述第一鳍片部分上面的第二鳍片部分、以及在所述第一及所述第二鳍片部分之间的介面，其中所述第一鳍片部分与所述第二鳍片部分在所述鳍片结构内呈晶格失配，所述提供包含：/n提供多层结构，所述多层结构包含：/n包含第一鳍片层的所述衬底；/n在所述衬底上面的牺牲层；/n配置于所述牺牲层上面的第二鳍片层；以及/n移除所述多层结构的至少一部分以建立所述鳍片结构，所述鳍片结构包含所述第二鳍片部分配置于所述第一鳍片部分的区域上方的区域，以及所述牺牲层有一部分配置于其间；/n部分修改所述鳍片结构以得到改质鳍片结构，所述修改包含：经受快速热氧化程序或热退火程序以选择性氧化所述介面以在所述改质鳍片结构内形成隔离区，其中所述隔离区电性隔离所述第一鳍片部分与所述第二鳍片部分，同时维持所述改质鳍片结构的结构稳定性；以及/n部分修改所述鳍片结构以得到所述改质鳍片结构，所述修改包含氧化所述鳍片结构的所述牺牲层，同时维持结构稳定性，其中经氧化的所述牺牲层提供所述隔离区。/n