[发明专利]一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法有效
| 申请号： | 201610006073.0 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105609437A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 于瑞善 | 申请（专利权）人： | 重庆群崴电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 408000 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，包括下列步骤：第一步：通过雾化法或物理气相法制造铜球；第二步：对第一步制造好的铜球进行研磨；第三步：对研磨后的铜球进行清洗，然后烘干；第四步：对烘干后的铜球进行圆度筛选，选出真圆度要求合格的铜球；第五步：对第四步筛选出来的铜球进行尺寸筛选，选出符合直径要求的铜球；第六步：对第五步筛选出来的铜球进行电镀。制造一种用于3D封装用铜核球来代替传统使用的锡球，保证回焊后PKG间所需的空间，以利于实现高密度3D封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 镀金 镀镍锡铜球 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，其特征在于：包括下列步骤：第一步：通过雾化法或物理气相法制造铜球；第二步：对第一步制造好的铜球进行研磨；第三步：对研磨后的铜球进行清洗，然后烘干；第四步：对烘干后的铜球进行圆度筛选，选出真圆度要求合格的铜球；第五步：对第四步筛选出来的铜球进行尺寸筛选，选出符合直径要求的铜球；第六步：对第五步筛选出来的铜球进行电镀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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