[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201610006560.7 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106952810B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的制造方法，包括：形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底，以及凸出于所述衬底的鳍部；对鳍部进行阈值电压调节掺杂工艺；在鳍部的顶部和侧壁表面形成离子阻挡层；对形成有离子阻挡层的鳍部进行退火工艺；形成横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构。进行阈值电压调节掺杂工艺后，本发明先在鳍部的顶部和侧壁表面形成离子阻挡层，再对鳍部进行退火工艺，通过退火工艺改善鳍部的表面光滑度以改善沟道内载流子的迁移率的同时，离子阻挡层对鳍部能起到保护作用，防止所述退火工艺使通过掺杂工艺注入进鳍部内的阈值电压调节掺杂离子发生流失，从而优化半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底，以及凸出于所述衬底的鳍部；对所述鳍部进行阈值电压调节掺杂工艺；所述阈值电压调节掺杂工艺之后，在所述鳍部的顶部和侧壁表面形成离子阻挡层；对形成有所述离子阻挡层的鳍部进行退火工艺；形成横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
