[发明专利]多阈值电压鳍式晶体管的形成方法

摘要

一种多阈值电压鳍式晶体管的形成方法，包括：提供包括第一N型阈值区、第二N型阈值区、第一P型阈值区和第二P型阈值区的衬底，衬底表面分别具有鳍部；在衬底表面形成隔离层；在隔离层和鳍部表面形成介质层，介质层内具有第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽、第四沟槽；在第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽底部形成栅介质层；在第三沟槽内形成第一P型功函数层；在第一P型功函数层表面以及第一沟槽、第二沟槽和第四沟槽内形成第二P型功函数层；在第一沟槽内的第二P型功函数层上形成第一N型功函数层；在第一N型功函数层以及第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽内形成第二N型功函数层。形成多阈值电压鳍式晶体管的方法简单。

主权项

1.一种多阈值电压鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一N型阈值区、第二N型阈值区、第一P型阈值区和第二P型阈值区，所述第一N型阈值区、第二N型阈值区、第一P型阈值区和第二P型阈值区的衬底表面分别具有鳍部；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层表面低于所述鳍部的顶部表面；在所述隔离层和鳍部表面形成介质层，所述第一N型阈值区的介质层内具有横跨所述鳍部的第一沟槽，所述第二N型阈值区的介质层内具有横跨所述鳍部的第二沟槽，所述第一P型阈值区的介质层内具有横跨所述鳍部的第三沟槽，所述第二P型阈值区的介质层内具有横跨所述鳍部的第四沟槽，所述第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽分别暴露出部分鳍部的侧壁和顶部表面；在所述第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽底部的隔离层和鳍部上形成栅介质层；在所述第三沟槽内的栅介质层表面形成第一P型功函数层；在所述第一P型功函数层表面以及第一沟槽、第二沟槽和第四沟槽内的栅介质层表面形成第二P型功函数层；在所述第一沟槽内的第二P型功函数层上形成第一N型功函数层；在所述第一N型功函数层以及第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽内的第二P型功函数层上形成第二N型功函数层；在所述第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽内的第二N型功函数层表面形成分别填充满所述第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽的栅极层。