[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610006616.9 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106952947B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上由下到上依次形成若干层牺牲单元层，牺牲单元层包括底层牺牲层和位于底层牺牲层上的顶层牺牲层；在若干层牺牲单元层上形成保护层，保护层的材料和所述底层牺牲层的材料相同；采用各向异性干刻工艺刻蚀保护层和牺牲单元层直至暴露出半导体衬底表面，形成贯穿保护层和牺牲单元层厚度的沟槽；对沟槽侧壁的牺牲单元层和保护层进行湿法刻蚀，所述湿法刻蚀对顶层牺牲层的刻蚀速率大于对底层牺牲层的刻蚀速率；在湿法刻蚀后的沟槽内填充满鳍部，使鳍部的侧壁具有凸起，然后去除保护层和牺牲单元层。所述方法能够增强栅极结构的电场控制能力，进一步改善短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上由下到上依次形成若干层牺牲单元层，所述牺牲单元层包括底层牺牲层和位于底层牺牲层上的顶层牺牲层；在所述若干层牺牲单元层上形成保护层，所述保护层的材料和所述底层牺牲层的材料相同；采用各向异性干刻工艺刻蚀所述保护层和牺牲单元层直至暴露出半导体衬底表面，形成贯穿所述保护层和牺牲单元层厚度的沟槽；对所述沟槽侧壁的牺牲单元层和保护层进行湿法刻蚀，所述湿法刻蚀对顶层牺牲层的刻蚀速率大于对底层牺牲层的刻蚀速率；在湿法刻蚀后的沟槽内填充满鳍部，使所述鳍部的侧壁具有凸起；去除所述保护层和牺牲单元层。
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