[发明专利]MOS晶体管的制备方法

摘要

本发明提供一种MOS晶体管的制备方法，包括以下步骤提供半导体衬底；提供第一掩膜，依据第一掩膜在半导体衬底内进行第一类型离子注入形成阱结构；依据第一掩膜在阱结构内进行第二类型离子注入形成轻掺杂区域；提供第二掩膜，依据第二掩膜在对应于后续要形成阱接出区域的轻掺杂区域进行第一类型离子预注入，使该区域内的离子掺杂类型由第二类型转为第一类型；提供第三掩膜，依据第三掩膜在半导体衬底内进行第二类型离子注入形成源/漏极；依据第二掩膜在第一类型离子预注入区域内进行第一类型离子注入形成阱接出区域。通过在阱离子注入与轻掺区域杂离子注入过程中使用同一块掩膜，可以减少MOS晶体管的制备方法中掩膜的使用数量，进而降低生产成本。

主权项

一种MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；提供第一掩膜，依据所述第一掩膜在所述半导体衬底内进行第一类型离子注入，以在所述半导体衬底内形成阱结构；依据所述第一掩膜在所述阱结构内进行第二类型离子注入，以在所述阱结构内形成轻掺杂区域；提供第二掩膜，依据所述第二掩膜在对应于后续要形成阱接出区域的轻掺杂区域进行第一类型离子预注入，使得该区域内的离子掺杂类型由第二类型转为第一类型；提供第三掩膜，依据所述第三掩膜在所述半导体衬底内进行第二类型离子注入，以在所述半导体衬底内形成源/漏极；依据所述第二掩膜在第一类型离子预注入区域内进行第一类型离子注入，以在所述半导体衬底内形成阱接出区域。