[发明专利]电子设备和用于制造其的方法有效
| 申请号： | 201610007058.8 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106169475B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 尹炯舜 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：在衬底上形成其中层间电介质层与材料层交替层叠的层叠结构；形成多个孔，所述多个孔被布置为具有基本上恒定的间隔，同时通过穿过层叠结构而暴露衬底；在所述多个孔的第一孔中形成沟道层；在所述多个孔的第二孔中形成虚设层；在包括虚设层和沟道层的所得结构上形成掩模图案，以暴露沿第一方向延伸同时与沿第一方向布置的虚设层重叠的区域；以及通过使用掩模图案作为刻蚀阻挡来刻蚀层叠结构并且去除虚设层而形成狭缝。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法，包括：在衬底上形成其中层间电介质层与材料层交替层叠的层叠结构；形成多个孔，所述多个孔被布置为具有基本上恒定的间隔同时通过穿过层叠结构而暴露衬底；在所述多个孔的第一孔中形成沟道层；在所述多个孔的第二孔中形成虚设层；在包括虚设层和沟道层的所得结构上形成掩模图案，以暴露沿第一方向延伸同时与沿第一方向布置的虚设层重叠的区域；以及通过使用掩模图案作为刻蚀阻挡来刻蚀层叠结构并且去除虚设层而形成狭缝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610007058.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
