[发明专利]一种存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610007750.0 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105826467B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 林昱佑;李峰旻 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，存储器装置具有各种黏合层厚度的受覆盖接垫结构，存储器装置制造方法包含形成底黏合层在一穿孔中，穿孔是形成在隔离层中；形成一底导电塞在底黏合层中；形成一顶黏合层在底黏合层及底导电塞上；形成一顶导电塞在顶黏合层中；其中，底及顶黏合层的厚度可互不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：/n一顶电极；/n一金属氧化层，接触该顶电极；/n一中间层导体，具有一电极表面，接触该金属氧化层；/n其中该中间层导体包含位于同一穿孔中的一上部及一下部，该上部包含该电极表面；/n其中该下部包含一第一导电垫(liner)及一第一导电塞(plug)，该第一导电塞位于该第一导电垫中，该第一导电垫形成在该穿孔中并对齐该穿孔的底部分，且该上部包含一第二导电垫及一第二导电塞，该第二导电塞位于该第二导电垫中，该第二导电垫形成在该穿孔中并对齐该穿孔的上部分；该第一导电垫包含侧壁及底部，该第二导电垫包含侧壁及底部，且该第二导电垫的侧壁及底部的厚度均薄于该第一导电垫的侧壁及底部的厚度。/n
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