[发明专利]主动元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610007937.0 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106952948A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 高金字;吕雅茹;郭晋川 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种主动元件及其制作方法，主动元件配置于基板上，且包括栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体层、蚀刻终止层、源极与漏极。栅绝缘层配置于基板上且覆盖栅极。金属氧化物半导体层配置于栅绝缘层上。蚀刻终止层配置于金属氧化物半导体层上。金属氧化物半导体层的边缘相较于蚀刻终止层的边缘向内缩一距离。源极与漏极配置于蚀刻终止层上，且沿着蚀刻终止层的边缘以及金属氧化物半导体层的边缘而延伸配置于栅绝缘层上。蚀刻终止层的一部分暴露于源极与漏极之间。因此，本发明的主动元件具有较佳的元件效能。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种主动元件，其特征在于，配置于基板上，所述主动元件包括：栅极；栅绝缘层，配置于所述基板上且覆盖所述栅极；金属氧化物半导体层，配置于所述栅绝缘层上；蚀刻终止层，配置于所述金属氧化物半导体层上，其中所述金属氧化物半导体层的边缘相较于所述蚀刻终止层的边缘向内缩一距离；以及源极与漏极，配置于所述蚀刻终止层上，且沿着所述蚀刻终止层的边缘以及所述金属氧化物半导体层的边缘而延伸配置于所述栅绝缘层上，其中所述蚀刻终止层的一部分暴露于所述源极与所述漏极之间。
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