[发明专利]一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法

摘要

本发明提供一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法，所述单元包括第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NMOS晶体管组成。本发明的SOI八晶体管SRAM单元中，组成第一反相器及第二反相器的四个晶体管的源极均嵌有隧穿二极管结构，可以在不增加器件面积的情况下有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力。并且本发明的制作方法还具有制造工艺简单、与现有逻辑工艺完全兼容等优点，单元内部采用中心对称结构以及单元之间的共享结构，使其方便形成存储阵列，有利于缩短设计SRAM芯片的周期。

主权项

一种SOI八晶体管SRAM单元，所述SOI八晶体管SRAM单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；其中，所述第三NMOS管的源极连接至所述第一反相器的输出端及所述第二反相器的输入端，栅极连接至存储器的写字线，漏极连接至存储器的写位线；所述第四NMOS晶体管的源极连接至所述第二反相器的输出端及所述第一反相器的输入端，栅极连接至存储器的写字线，漏极连接至存储器的写反位线；所述第五NMOS管的源极连接至所述第一反相器的输出端及所述第二反相器的输入端，栅极连接至存储器的读字线，漏极连接至存储器的读位线；所述第六NMOS晶体管的源极连接至所述第二反相器的输出端及所述第一反相器的输入端，栅极连接至存储器的读字线，漏极连接至存储器的读反位线；其特征在于：所述第一、第二PMOS晶体管及第一、第二NMOS晶体管的源极与体区之间均连接有一隧穿二极管；对于PMOS晶体管，其源极与所述隧穿二极管的阳极连接，体区与所述隧穿二极管的阴极连接；对于NMOS晶体管，其源极与所述隧穿二极管的阴极连接，体区与所述隧穿二极管的阳极连接。