[发明专利]微机电系统(MEMS)器件的晶圆级气密密封工艺有效

专利信息
申请号: 201610008239.2 申请日: 2016-01-06
公开(公告)号: CN106241724B 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 曾李全;周仲彦;刘世昌;谢元智 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明实施例提供了具有腔体的微机电系统(MEMS)结构,腔体使用掩模层气密密封。覆盖衬底布置在MEMS衬底上方,覆盖衬底包括可移动元件。覆盖衬底包括布置在可移动元件上方并开口至可移动元件的腔体,并且包括与腔体流体连通的密封开口。掩模层布置在覆盖衬底上方。掩模层突出在密封开口上方并且横向包围布置在密封开口上方的掩模开口。密封层布置在掩模层和掩模开口上方。密封层配置为气密密封腔体。本发明还提供了制造MEMS结构的方法。本发明实施例涉及微机电系统(MEMS)器件的晶圆级气密密封工艺。
搜索关键词: 微机 系统 mems 器件 晶圆级 气密 密封 工艺
【主权项】:
1.一种微机电系统(MEMS)结构,包括:MEMS衬底,具有可移动元件;覆盖衬底,布置在所述MEMS衬底上方,其中,所述覆盖衬底包括布置在所述可移动元件上方并开口至所述可移动元件的腔体,并且其中,所述覆盖衬底包括与所述腔体流体连通的密封开口;掩模层,布置在所述覆盖衬底的顶面上方并且接触所述覆盖衬底的顶面,其中,所述掩模层悬置在所述密封开口上方并且横向包围在所述密封开口上方布置的掩模开口,并且其中,整个所述掩模层位于所述覆盖衬底的顶面上方;以及密封层,布置在所述掩模层和所述掩模开口上方,其中,所述密封层配置为气密密封所述腔体。
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