[发明专利]一种用于硅衬底集成mHEMT器件的外延层结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201610008449.1 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105448978A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 于宗光;马慧红;李海欧;黄伟;王成;顾爱军;唐剑平 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 熊玉玮 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅衬底集成mHEMT器件的外延层结构及其生长方法，属于高性能半导体集成的技术领域。外延层结构，包括：P型硅衬底，以及，在P型硅衬底层上依次生长形成的：GaAs成核层、第六缓冲层、第五缓冲层、InGaAs应力释放层、第四缓存层、第三缓冲层、第二缓存层、第一缓冲层、InGaAs沟道层、InAlAs隔离层、硅delta掺杂层、InAlAs势垒层、重掺杂了硅的InGaAs帽层，第一缓冲层为高温InAlAs缓冲层，第二缓冲层为低温变组分InAlAs缓存层，第五缓冲层、第三缓冲层均为高温InP缓冲层，第六缓冲层、第四缓冲层均为低温InP缓冲层。利用本发明的外延层结构成功外延了二维电子气浓度高且沟道电子迁移率大的mHEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 衬底 集成 mhemt 器件 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种用于硅衬底集成mHEMT器件的外延层结构，其特征在于，包括：P型硅衬底，以及，在P型硅衬底层上依次生长形成的：GaAs成核层、第六缓冲层、第五缓冲层、InGaAs应力释放层、第四缓存层、第三缓冲层、第二缓存层、第一缓冲层、InGaAs沟道层、InAlAs隔离层、硅delta掺杂层、InAlAs势垒层、重掺杂了硅的InGaAs帽层，所述第一缓冲层为高温InAlAs缓冲层，第二缓冲层为低温变组分InAlAs缓存层，所述第五缓冲层、第三缓冲层均为高温InP缓冲层，所述第六缓冲层、第四缓冲层均为低温InP缓冲层。
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