[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。为了提高在半导体芯片之间耦合的内插板的信号传输可靠性。参考电位布线和参考电位布线设置在内插板的第一布线层中设置的信号布线的两个相邻侧。而且，参考电位布线和参考电位布线设置在内插板的第二布线层中设置的信号布线的两个相邻侧。而且，信号布线和信号布线在平面图中彼此交叉。第一布线层的参考电位布线以及第二布线层的参考电位布线在它们的交叉部的周边处彼此耦合。

主权项

1.一种半导体器件，包括：布线基板；内插板，所述内插板安装在所述布线基板的第一表面上；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片安装在所述内插板上；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片并排地安装在所述内插板上，并且控制所述第一半导体芯片，其中，所述内插板具有多个布线层，所述多个布线层包括第一布线层和层叠在所述第一布线层上的第二布线层，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过形成在所述内插板的所述布线层中的多个布线电耦合，其中，所述布线包括：第一参考电位布线，所述第一参考电位布线形成在所述第一布线层中，并且从所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的一个延伸至所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的另一个，第二参考电位布线，所述第二参考电位布线形成在所述第一布线层中，并且沿所述第一参考电位布线延伸，第一信号布线，所述第一信号布线形成在所述第一布线层中，并且在所述第一参考电位布线和所述第二参考电位布线之间沿所述第一参考电位布线和所述第二参考电位布线延伸，第三参考电位布线，所述第三参考电位布线形成在所述第二布线层中，并且从所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的一个延伸至所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的另一个，第四参考电位布线，所述第四参考电位布线形成在所述第二布线层中，并且沿所述第三参考电位布线延伸，以及第二信号布线，所述第二信号布线形成所述第二布线层中，并且与所述第一信号布线电隔离，并且在所述第三参考电位布线和所述第四参考电位布线之间沿所述第三参考电位布线和所述第四参考电位布线延伸，其中，所述第一参考电位布线通过第一耦合部耦合至所述第三参考电位布线，并且通过第二耦合部耦合至所述第四参考电位布线，并且具有在平面图中在所述第一耦合部和所述第二耦合部之间与所述第二信号布线交叉的第一交叉部，并且其中，所述第二参考电位布线通过第三耦合部耦合至所述第三参考电位布线，并且通过第四耦合部耦合至所述第四参考电位布线，并且具有在平面图中在所述第三耦合部和所述第四耦合部之间与所述第二信号布线交叉的第二交叉部。