[发明专利]一种电光独立调制的瞬态光电压测试系统在审
| 申请号： | 201610008640.6 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105527483A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 石将建;孟庆波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;康正德 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电光独立调制的瞬态光电压测试系统，涉及半导体领域。所述瞬态光电压测试系统包括：脉冲光源，用于向半导体器件施加脉冲光激发，以在半导体器件内形成光生电荷；其中，光生电荷在所述半导体器件两侧积累，以形成光生电压；稳定光源，用于照射半导体器件以提供光调制，使半导体器件内部建立稳定存在的浓度可调的电荷分布；电压探测器，与半导体器件构成电压探测回路，用于实时探测半导体器件两端的光生电压；和与电压探测回路并联的电调制回路，用于向半导体器件提供可控的直流电压调制信号。本发明可以实现半导体器件在不同的偏置电压和不同的光照状态下电荷复合过程的表征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电光 独立 调制 瞬态 电压 测试 系统 | ||
【主权项】：
一种电光独立调制的瞬态光电压测试系统，用于探测半导体器件在不同光照和偏压状态的光生电压的瞬态过程，以表征所述半导体器件的电荷复合性质，包括：脉冲光源，用于向所述半导体器件施加脉冲光激发，以在所述半导体器件内形成光生电荷；其中，所述光生电荷在所述半导体器件两侧积累，以形成光生电压；稳定光源，用于照射所述半导体器件以提供光调制，使所述半导体器件内部建立稳定存在的浓度可调的电荷分布；电压探测器，与所述半导体器件构成电压探测回路，用于实时探测所述半导体器件两端的光生电压；和与所述电压探测回路并联的电调制回路，用于向所述半导体器件提供可控的直流电压调制信号。
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