[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法

摘要

一种静电放电保护结构及其形成方法，本发明通过在第一区域和第二区域内设置支撑栅结构，形成所述介质层的过程中，以及在所述基底其他区域形成半导体结构的过程中，所述支撑栅结构提高了所述第一区域和所述第二区域研磨工艺的稳定性。在进行化学机械研磨工艺的过程中，通过所述支撑栅结构的支撑，位于第一区域和第二区域的介质层表面不易发生凹陷，从而扩大了所述化学机械研磨的工艺窗口，提高了半导体器件制造的良品率。

主权项

一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域之间具有预设距离；位于所述基底中的阱区，所述阱区覆盖所述第一区域、第二区域以及所述第一区域和第二区域之间的区域；位于所述第一区域基底上的第一鳍部以及位于所述第二区域基底上的第二鳍部，所述第一鳍部中具有第一类型掺杂离子，所述第二鳍部中具有第二类型掺杂离子；覆盖第一区域和第二区域之间阱区、第一鳍部以及第二鳍部的介质层；形成于所述介质层中的支撑栅结构，所述支撑栅结构包括横跨所述第一鳍部的第一支撑栅，所述第一支撑栅覆盖所述第一鳍部的部分侧壁和顶部表面，以及横跨所述第二鳍部的第二支撑栅，所述第二支撑栅覆盖所述第二鳍部的部分侧壁和顶部表面；形成于所述介质层中的导电结构，所述导电结构包括：与所述第一鳍部相连的第一导电结构，用于与第一偏压电连接；与所述第二鳍部相连的第二导电结构，用与第二偏压电连接，所述第二偏压与所述第一偏压不相同。