[发明专利]一种单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光纤在审

专利信息
申请号: 201610009045.4 申请日: 2016-01-07
公开(公告)号: CN105589127A 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: 马绍朔;李晶;祝小光;宁提纲;张传彪;李超;袁瑾 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02;G02B6/036
代理公司: 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 代理人: 董琪
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光纤,属于大功率光纤放大器、激光器、特种光纤。该光纤中心为掺稀土离子芯区(1),由内到外分布第一硅环芯(2,1)、第一掺稀土离子环芯(3,1)…第N硅环芯(2,N)、第N掺稀土离子环芯(3,N),围绕第N掺稀土离子环芯均匀分布M个相同半径、弧度和厚度的瓣状纤芯(4,1)…(4,M),内包层(5),外包层(6);M、N为整数;芯区、环芯、瓣状纤芯的折射率相等;各个硅环芯的折射率相等;硅环芯的折射率小于掺稀土离子芯区的折射率;外包层(6)的折射率小于内包层(5)的折射率小于硅环芯的折射率。本发明制造方法简便有效,实现光纤大的有效模场面积,适用于大规模生产。
搜索关键词: 一种 单模 多环纤芯 耦合 多块掺 稀土 瓣状纤芯 光纤
【主权项】:
单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光纤,其特征为:该光纤中心为掺稀土离子芯区(1),由内到外分布第一硅环芯(2,1)、第一掺稀土离子环芯(3,1)……第N硅环芯(2,N)、第N掺稀土离子环芯(3,N),该光纤内包层围绕第N掺稀土离子环芯(3,N)均匀分布M个相同半径、弧度和厚度的瓣状纤芯(4,1)……(4,M),内包层(5),外包层(6),1≤N≤5整数,3≤M≤32整数;掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)、瓣状纤芯(4,1)……(4,M)的折射率相等;第一硅环芯(2,1)……第N硅环芯(2,N)的折射率相等;第一硅环芯(2,1)……第N硅环芯(2,N)的折射率小于掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)、瓣状纤芯(4、1)……(4、M)的折射率;内包层(5)的折射率小于第一硅环芯(2,1)……第N硅环芯(2,N)的折射率,外包层(6)的折射率小于内包层(5)的折射率。
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