[发明专利]激光开封方法在审
| 申请号： | 201610009370.0 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105598589A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 贺峤;王坦 | 申请（专利权）人： | 航天科工防御技术研究试验中心 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 王安娜;李翔 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光开封方法，包括先对塑封器件内部的各个元件和芯片的位置和深度进行定位，得到器件内部各个元件和芯片的大小、位置以及深度信息；根据所述信息，确定塑封器件的预定开封区域进行开封定位；采用交叉填充模式对所述塑封器件进行激光烧蚀，以去除塑封器件表面的模塑材料，使芯片区域刚刚暴露出内引线键合丝，阻容附近刚刚暴露出锡铅焊点，电感附近刚刚暴露出电感；采用酸液对覆盖在芯片上方残留的模塑化合物进行腐蚀，直至暴露出芯片。该方法可以较好的解决传统方法难以对塑封混合集成电路开封的难题，有效提高了塑封器件的开封成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 开封 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光开封方法，其特征在于，包括以下步骤：先对塑封器件内部的各个元件和芯片的位置和深度进行定位，得到器件内部各个元件和芯片的大小、位置以及深度信息；根据所述信息，确定塑封器件的预定开封区域进行开封定位；采用交叉填充模式对所述塑封器件进行激光烧蚀，以去除塑封器件表面的模塑材料，使芯片区域刚刚暴露出内引线键合丝，阻容附近刚刚暴露出锡铅焊点，电感附近刚刚暴露出电感；其中，所述交叉填充模式是每完成一个激光烧蚀回合后，烧蚀的路径旋转90°；所述激光的发射功率为3～4W，所述激光的频率设定在20～40KHz；采用酸液对覆盖在芯片上方残留的模塑化合物进行腐蚀，直至暴露出芯片；所述采用交叉填充模式对所述塑封器件进行激光烧蚀的步骤包括：先对塑封器件进行平移式地横向激光烧蚀，待完成一个激光烧蚀回合后，烧蚀的路径旋转90°，对塑封器件进行平移式地纵向激光烧蚀；或者先对塑封器件进行平移式地纵向激光烧蚀，待完成一个激光烧蚀回合后，烧蚀的路径旋转90°，对塑封器件进行平移式地横向激光烧蚀。
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