[发明专利]用于可编程逻辑装置的热插拔操作有效

专利信息
申请号: 201610009612.6 申请日: 2016-01-06
公开(公告)号: CN105846409B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: C·W·迪克斯;C·梅;C·J·国;J·科普伦;S·钱德拉 申请(专利权)人: 美国莱迪思半导体公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于可编程逻辑装置的热插拔操作。提供技术以控制采用可编程逻辑装置(PLD)的热插拔操作。特别地,提供MOSFET以限制当插入通道电源时由电子组件的电容性部件从电源吸取的突入电流。提供具有算法的控制器以基于在MOSFET处检测到的突入电流而控制MOSFET。如此,建立反馈控制回路以基于检测到的突入电流而选择性地偏置MOSFET的栅极。算法可以基于MOSFET的安全操作区域(SOA)而限制突入电流。热插拔过程可以包括多个阶段,每个具有对SOA的电压和电流建模的电压和/或电流限制。在热插拔过程期间算法可以在具有各自的电流和/或电压限制的阶段之间转换。
搜索关键词: 用于 可编程 逻辑 装置 热插拔 操作
【主权项】:
1.一种用于热插拔操作的系统,包括:电子组件,具有电容性负载;晶体管,配置用于选择性地允许和限制从电源至所述电子组件的突入电流;电流感测装置,配置用于检测来自所述电源的所述突入电流;以及热插拔控制器,配置用于控制所述晶体管以基于由所述电流感测装置检测到的所述突入电流而限制所述突入电流,以使得所述电子组件的所述电容性负载被逐渐地充电,其中所述热插拔控制器被配置成当所述电容性负载被充电时控制所述晶体管通过多个阶段,所述多个阶段中的每一个具有电压限制和电流限制,并且当在所述晶体管处检测到的电压或电流达到第一阶段的第一电压限制或第一电流限制时,所述热插拔控制器被配置成从所述第一阶段转换至所述多个阶段中的第二阶段,所述第二阶段具有相应的电压限制和电流限制,并且所述第二阶段的所述电压限制和所述电流限制中的至少一个不同于所述第一阶段的对应的电压限制和电流限制。
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