[发明专利]一种镁硅基热电器件的高温电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201610011667.0 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105633262B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;李帅;王沛;蔡兰兰;严晗;罗琦;鲁中原 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/04 | 分类号： | H01L35/04;H01L35/34 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 孙方旭 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镁硅基热电器件的高温电极及其制备方法，镁硅基热电器件的高温电极包括：硅化镁基质层、按不同体积比例球磨混合的梯度缓冲层、冷压镍电极层。通过放电等离子整体共烧结技术，在烧结温度在780～850摄氏度，烧结压力40～50MPa下制备出镁硅热电器件高温电极，本发明提供的镁硅基热电器件的高温电极具有良好的热膨胀匹配，低界面接触热阻，高界面稳定性，且制作工艺简单稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镁硅基 热电器件 高温 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种镁硅基热电器件的高温电极，其特征在于，依次由硅化镁基质层、硅化镁基质与金属镍球磨混合的梯度缓冲层、镍电极层组成，球磨混合采用的混合体积比例为Mg2Si/Ni＝n,n取1～6，梯度缓冲层的厚度为0.1～0.6mm，镍电极层的厚度为0.1～3mm。
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