[发明专利]一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法，采用化学气相沉积法和双温区管式炉，以Si/SiO2为基板，采用MoO3作为钼源，硫粉作为硫源，硒粒作为硒源，得到面积为1000‑1200平方微米的单层硒掺杂二硫化钼薄膜材料。将基片置于盛有钼源的瓷舟之上，将瓷舟置于双温区管式炉的下温区；将盛有硫源和硒源的瓷舟置于双温区管式炉上温区，其中硫源和硒源的质量SSe为0.25‑41，并将双温区管式炉封装起来。本发明制备方法简便易操作、时间短、重复性好，对仪器设备要求低。制备硒掺杂二硫化钼的薄膜面积增大了一个数量级，有明显的优势，制备所得到的薄膜材料有望应用到光开关、光电晶体管、光探测器等领域。

主权项

一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征是采用化学气相沉积法和双温区管式炉，以Si/SiO2为基板，采用MoO3作为钼源，硫粉作为硫源，硒粒作为硒源，得到面积为1000‑1200平方微米的单层硒掺杂二硫化钼薄膜材料；化学气相沉积法是：将SiO2/Si基片置于盛有钼源的瓷舟之上，并将该瓷舟置于双温区管式炉的下温区；将盛有硫源和硒源的瓷舟置于双温区管式炉上温区，其中硫源和硒源的质量S:Se为0.25‑4，并将双温区管式炉封装起来；设置双温区管式炉中上温区的加热速率为3.6‑5.5℃/min，65‑85min后升至反应温度260‑306℃，并维持这个反应温度10‑20min。