[发明专利]一种碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610011912.8 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105428401B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/786;H01L21/336;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管薄膜晶体管，包括衬底，设置于衬底上的栅极，设置于栅极表面的有机绝缘层，设置于所述有机绝缘层上的半导体层，设置于所述半导体层上的源极和漏极，所述半导体层为依次设置的聚3‑己基噻吩层和碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层，所述聚3‑己基噻吩层设置于绝缘层与碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层之间。本发明的碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层中的半导体性碳纳米管的含量较高，基本避免了含有金属性碳纳米管，保证了薄膜晶体管的电学性能。而且，所述碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层与所述聚3‑己基噻吩层通过π‑π键连接，形成碳纳米管薄膜晶体管的半导体层立体通道，从而使制得的碳纳米管薄膜晶体管具有了较高的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管薄膜晶体管，包括衬底，设置于衬底上的栅极，设置于所述栅极表面的有机绝缘层，设置于所述有机绝缘层上的半导体层，设置于所述半导体层上的源极和漏极，其特征在于，所述半导体层为依次设置的聚3‑己基噻吩层和碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层，所述聚3‑己基噻吩层设置于有机绝缘层与碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层之间。
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