[发明专利]双重图形化的方法有效
申请号: | 201610011927.4 | 申请日: | 2016-01-08 |
公开(公告)号: | CN106960816B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 张城龙;郑二虎 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种双重图形化的方法,包括:在核心层顶部表面和侧壁表面、以及第二区域的基底表面形成侧墙层,且位于第二子区域的基底表面的侧墙层顶部与第一区域的基底表面齐平;在侧墙层表面形成牺牲层,且牺牲层顶部高于核心层顶部或与和核心层顶部齐平;对牺牲层顶部以及侧墙层顶部进行平坦化处理,去除高于核心层顶部的牺牲层以及侧墙层;去除牺牲层和核心层,且第一区域的基底表面与第二子区域的侧墙层顶部齐平;以第一子区域的侧墙层为掩膜,刻蚀去除位于第二子区域的侧墙层以及位于第二子区域的第一厚度的基底,还刻蚀去除位于第一区域的第二厚度的基底,在基底内形成目标图形。本发明减小目标图形两侧的基底表面高度差值,提高形成的目标图形质量。 | ||
搜索关键词: | 双重 图形 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双重图形化的方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括若干依次间隔排列的第一区域和第二区域,所述第二区域包括紧挨相邻第一区域的第一子区域、以及位于相邻第一子区域之间的第二子区域,其中,所述第一区域的基底表面形成有核心层,且所述第一区域的基底表面高于第二区域的基底表面;在所述核心层顶部表面和侧壁表面、以及第二区域的基底表面形成侧墙层,且位于第二子区域的基底表面的侧墙层顶部与第一区域的基底表面齐平,位于第一子区域的基底表面的侧墙层覆盖核心层侧壁表面;在所述侧墙层表面形成牺牲层,且所述牺牲层顶部高于核心层顶部或与和核心层顶部齐平;对所述牺牲层顶部以及侧墙层顶部进行平坦化处理,去除高于核心层顶部的牺牲层以及侧墙层,暴露出所述核心层顶部表面;在进行所述平坦化处理之后,去除所述牺牲层和核心层,暴露出第一区域的基底表面,且第一区域的基底表面与第二子区域的侧墙层顶部齐平;以所述第一子区域的侧墙层为掩膜,刻蚀去除位于第二子区域的侧墙层以及位于第二子区域的第一厚度的基底,还刻蚀去除位于第一区域的第二厚度的基底,在所述基底内形成目标图形;所述第二子区域的侧墙层的厚度与第一厚度之和等于所述第二厚度;在所述刻蚀工艺完成后,第一区域的基底顶部表面与第二子区域的基底顶部表面齐平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610011927.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:像素结构的制造方法
- 下一篇:一种半导体器件以及制备方法、电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造