[发明专利]半导体发光装置有效
申请号: | 201610012015.9 | 申请日: | 2016-01-08 |
公开(公告)号: | CN105990506B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 小幡进;小岛章弘 | 申请(专利权)人: | 阿尔发得株式会社 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供包含半导体部、第一金属柱、第二金属柱及绝缘层的半导体发光装置。半导体部包含第一面、第二面及发光层。第二面包含与发光层重叠的第一区域及不与发光层重叠的第二区域。第一金属柱与第二区域电性连接。第一金属柱包含第一金属层及第二金属层。第二金属层的硬度比第一金属层的硬度硬。第一金属层设置在第二面与第二金属层的至少一部分之间。第二金属柱在第二方向与第一金属柱并排,与第一区域电性连接,第二方向与从第一面朝向第二面的第一方向交叉。第二金属柱包含第三金属层及第四金属层。第四金属层的硬度比第三金属层的硬度硬。第三金属层设置在第二面与第四金属层的至少一部分之间。绝缘层设置在第一金属柱与第二金属柱之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光装置,其特征在于具备:半导体部,包含第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、及发光层,且所述第二面包含与所述发光层重叠的第一区域、及不与所述发光层重叠的第二区域;第一金属柱,作为与所述第二区域电性连接的第一金属柱,包含第一金属层、及硬度比所述第一金属层的硬度硬的第二金属层,且所述第一金属层设置在所述第二面与所述第二金属层的至少一部分之间;第二金属柱,作为在第二方向上与所述第一金属柱并排且与所述第一区域电性连接的第二金属柱,所述第二方向与从所述第一面朝向所述第二面的第一方向交叉,包含第三金属层、及硬度比所述第三金属层的硬度硬的第四金属层,且所述第三金属层设置在所述第二面与所述第四金属层的至少一部分之间;以及绝缘层,与所述第一金属柱及所述第二金属柱相接;所述第一金属层还包含沿着所述第一方向的第一侧面,所述第三金属层还包含沿着所述第一方向的第二侧面,且所述第二金属层设置在所述第一侧面与所述绝缘层之间,所述第四金属层设置在所述第二侧面与所述绝缘层之间。
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