[发明专利]电源负载测试装置有效
申请号: | 201610012401.8 | 申请日: | 2012-06-21 |
公开(公告)号: | CN105699911B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 浙江嘉昱达机械有限公司 |
主分类号: | G01R31/40 | 分类号: | G01R31/40 |
代理公司: | 北京彭丽芳知识产权代理有限公司 11407 | 代理人: | 彭丽芳 |
地址: | 312500 浙江省绍*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种电源负载测试装置,用于对一被测电源进行动态负载测试,所述电源负载测试装置包括依次电性连接的主控制器、函数发生器以及电流检测电路,所述函数发生器用于输出一方波信号;所述拉载电路用于根据所述方波信号动态地改变所述被测电源的输出电流;所述电流检测电路还电性连接至所述主控制器,所述电流检测电路用于配合所述主控制器检测所述输出电流的斜率,所述主控制器用于将检测到的所述输出电流的斜率与一预设斜率值进行比较,并根据比较结果相应控制所述函数发生器调整所述方波信号,直到所述输出电流的斜率与所述预设斜率值相等。 | ||
搜索关键词: | 电源 负载 测试 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电源负载测试装置,用于对一被测电源进行动态负载测试,其特征在于:所述电源负载测试装置包括依次电性连接的主控制器、函数发生器、拉载电路以及电流检测电路,所述函数发生器用于输出一方波信号;所述拉载电路用于根据所述方波信号动态地改变所述被测电源的输出电流,包括电压跟随器、第一金属氧化物半导体场效应晶体管、负载电阻、NPN型三极管、PNP型三极管、第一电源以及第二电源,所述电压跟随器的同相输入端电性连接至所述函数发生器的输出端,用于接收所述方波信号,所述电压跟随器的输出端电性连接至所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极,所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极电性连接至所述被测电源的输出端,所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极通过所述负载电阻接地,且所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述负载电阻之间的节点电性连接至所述电压跟随器的反相输入端;所述电压跟随器的输出端电性连接至所述NPN型三极管及所述PNP型三极管的基极,所述NPN型三极管的集电极电性连接至所述第一电源;发射极电性连接至所述PNP型三极管的发射极,且所述NPN型三极管以及PNP型三极管的发射极之间的节点电性连接至所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极;所述PNP型三极管的集电极电性连接至所述第二电源;所述NPN型三极管以及PNP型三极管用于增强所述方波信号对第一金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动能力,避免所述方波信号失真无法正常驱动第一金属氧化物半导体场效应晶体管;所述电流检测电路还电性连接至所述主控制器,所述电流检测电路用于配合所述主控制器检测所述输出电流的斜率,所述主控制器用于将检测到的所述输出电流的斜率与一预设斜率值进行比较,并根据比较结果相应控制所述函数发生器调整所述方波信号,直到所述输出电流的斜率与所述预设斜率值相等。
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