[发明专利]低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及其结构。该方法通过自下而上依次沉积氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)，得到包括氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)共三层结构的层间绝缘层(70)，由于干法蚀刻和湿法蚀刻对氮氧化硅的蚀刻速率都是处于对氧化硅和的氮化硅蚀刻速率中间，在氧化硅层(71)与氮化硅层(73)之间加入一层氮氧化硅层(72)能够对蚀刻速率起到过渡缓冲作用，那么在层间绝缘层(70)通过干法蚀刻加湿法蚀刻形成过孔时便能够使得过孔的孔壁剖面呈平滑的坡状，防止层间绝缘层的过孔孔壁出现突出的尖角，从而避免源/漏极在过孔内发生断线。

主权项

1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成图案化的遮光层(20)，在所述遮光层(20)与衬底基板(10)上沉积覆盖缓冲层(30)；步骤2、在所述缓冲层(30)上形成对应于所述遮光层(20)的低温多晶硅半导体层(40)；步骤3、在所述低温多晶硅半导体层(40)与缓冲层(30)上沉积覆盖栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积并图案化第一金属层，形成位于低温多晶硅半导体层(40)上方的栅极(60)；步骤4、在栅极(60)与栅极绝缘层(50)上自下而上依次沉积氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)，所述氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)共同组成层间绝缘层(70)；步骤5、在所述层间绝缘层(70)上形成图案化的光阻层(80)，以光阻层(80)为遮蔽层，对所述层间绝缘层(70)及栅极绝缘层(50)先后进行干法蚀刻和湿法蚀刻，形成分别暴露出所述低温多晶硅半导体层(40)两端表面的第一过孔(751)及第二过孔(752)，所述第一过孔(751)及第二过孔(752)的孔壁剖面呈平滑的坡状；步骤6、剥离所述光阻层(80)，在所述层间绝缘层(70)上沉积并图案化第二金属层，形成源极(91)、及漏极(92)，所述源极(91)、漏极(92)分别通过第一过孔(751)、第二过孔(752)接触所述低温多晶硅半导体层(40)。