[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元与存储器储存装置有效

专利信息
申请号: 201610015194.1 申请日: 2016-01-11
公开(公告)号: CN106959818B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 柯伯政 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元与存储器储存装置。此方法包括记录清仓指令计数并且每当从主机系统中接收到清仓指令时,更新清仓指令计数。本方法还包括提取第一实体抹除单元作为作动实体单元,并且判断清仓指令计数是否大于清仓指令计数门槛值。本方法亦包括,倘若清仓指令计数门槛值大于清仓指令计数门槛值时,将作动实体单元的写入模式设定为第一写入模式。本方法还包括,倘若清仓指令计数门槛值非大于清仓指令计数门槛值时,将作动实体单元的写入模式设定为第二写入模式。
搜索关键词: 数据 写入 方法 存储器 控制电路 单元 储存 装置
【主权项】:
一种数据写入方法,用于可复写式非易失性内存模块,其特征在于,所述可复写式非易失性内存模块具有多个实体抹除单元,每一所述多个实体抹除单元具有多个下实体程序化单元与多个上实体程序化单元,所述数据写入方法包括:记录清仓指令计数;从所述多个实体抹除单元之中提取第一实体抹除单元作为作动实体单元;判断所述清仓指令计数是否大于清仓指令计数门槛值;倘若所述清仓指令计数门槛值大于所述清仓指令计数门槛值时,将所述作动实体单元的写入模式设定为第一写入模式,其中在所述第一写入模式中,构成所述作动实体单元的各记忆胞是储存第一数目的位数据;以及倘若所述清仓指令计数门槛值非大于所述清仓指令计数门槛值时,将所述作动实体单元的所述写入模式设定为第二写入模式,其中在所述第二写入模式中,构成所述作动实体单元的各记忆胞是储存第二数目的位数据,其中所述第一数目小于所述第二数目。
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