[发明专利]基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法有效
| 申请号： | 201610015393.2 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105679838B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨林安;王晓燕;徐洋;严霏;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/15;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的GaN太赫兹肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有GaN肖特基二极管掺杂迁移率低，串联电阻大，截止频率低的问题。包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上包括：(1)半绝缘SiC衬底、(2)GaN缓冲层、(3)AlGaN/GaN异质结多沟道层、(4)GaN帽层，辅体部分包括：(5)欧姆接触电极(阴极)、(6)肖特基势垒接触电极(阳极)、(7)空气桥、(8)背金层。其中：AlGaN/GaN异质结多沟道层采用AlGaN/GaN类超晶格结构，该类超晶格有2到6个周期，每个周期中GaN层和AlGaN层的厚度均为10‑20nm，且AlGaN层中的Al组分为30％。本发明能够避免传统的n型掺杂工艺，利用极化形成的多层二维电子气沟道来提高电子迁移率，减小串联电阻，提高截止频率，适用于太赫兹频段工作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 algan gan 异质结多 沟道 结构 赫兹 肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管，包括主体部分和辅体部分主体部分包括：半绝缘SiC衬底(1)、设置在半绝缘SiC衬底(1)上端面的GaN缓冲层(2)、设置在GaN缓冲层(2)上端面一侧的AlGaN/GaN异质结多沟道层(3)、设置在AlGaN/GaN异质结多沟道层(3)上端面一侧的GaN帽层(4)，辅体部分包括：欧姆接触金属电极(5)、肖特基势垒电极(6)、空气桥(7)、背金层(8)，所述欧姆接触金属电极(5)设置在GaN帽层(4)上端面，肖特基势垒电极(6)一端与空气桥(7)一端连接且肖特基势垒电极(6)位于AlGaN/GaN异质结多沟道层(3)上端面的另一侧，空气桥(7)另一端位于GaN缓冲层(2)上端面另一侧，所述背金层(8)设置在半绝缘SiC衬底(1)下端面；AlGaN/GaN异质结多沟道层(3)采用AlGaN/GaN类超晶格结构，该类超晶格设有2～6个周期，每个周期中的AlGaN层厚度为10～20nm，且AlGaN层中的Al组分为30％，GaN层厚度为10～20nm。
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