[发明专利]高电子迁移率晶体管PHEMT热阻测试方法

摘要

本发明公开的一种高电子迁移率晶体管PHEMT热阻的测试方法，利用本发明测温准确，不易造成PHEMT损坏和测试误差，本发明通过下述技术方案予以实现：由半导体热阻测试仪器T3ster提供电流源在PHEMT晶体管的漏极源极间加载电流，通过管子的内阻对PHEMT晶体管的沟道加热，然后由T3ster外围控制电路瞬间的电路切换，加热瞬间停止，在该过程中T3ster电压输出端Ucb使快恢复二极管正偏，Ucb在连接分压电阻R1的分压作用下，待测PHEMT晶体管栅极G和源极S间产生夹断电压，PHEMT栅极G和源极S之间反偏，电路切换后，栅极G和源极S之间正偏，其压降反映其温度。T3ster测出的温度变化值在计算机中利用T3ster的数据处理软件Master获得热阻。

主权项

1.一种高电子迁移率晶体管PHEMT热阻的测试方法，其特征在于：采用晶体管PHEMT内部的肖特基作为传感器，由半导体热阻测试仪器T3ster提供电流源，直接在晶体管PHEMT的漏极D和源极S间加载电流对晶体管PHEMT沟道加热，然后通过对晶体管PHEMT进行热阻测试的外围控制电路实现瞬间电路切换，使加热瞬间停止，电路切换后，栅极G和源极S之间正偏，外围控制电路包括依次连接的分压电阻R1、分压电阻R2、快恢复二极管FRD的负极、快恢复二极管FRD的正极、晶体管PHEMT的栅极G，晶体管PHEMT的源极S与分压电阻R1的另一端连接，由此组成闭合回路，半导体热阻测试仪器T3ster的电压输出端Ucb电连接分压电阻R1、分压电阻R2之间的接线端子接点5，电压输出端Ucb还电连接分压电阻R1、晶体管PHEMT的源极S之间的接线端子接点6；半导体热阻测试仪器T3ster的电流输出端正极IE+通过接线端子接点1、2与晶体管PHEMT的漏极D、源极S连接，从而在晶体管PHEMT的漏极D和源极S间加载电流对晶体管PHEMT沟道加热，加载电流的同时在半导体热阻测试仪器T3ster的电压输出端Ucb电连接的分压电阻R1的分压作用下，快恢复二极管FRD正偏导通，晶体管PHEMT栅极G和源极S间产生夹断电压，晶体管PHEMT栅极G和源极S之间处于反偏状态，晶体管PHEMT热平衡后，停止加热，断掉漏极D和源极S之间的加载电流，同时控制半导体热阻测试仪器T3ster的电压输出端Ucb输出，使得快恢复二极管FRD反偏，同时晶体管PHEMT的栅极G和源极S间由半导体热阻测试仪器T3ster的测试电流输出端Sensor current加载＜10mA的小电流，半导体热阻测试仪器T3ster的传感器电流输出端Sensor current通过快恢复二极管FRD与晶体管PHEMT栅极G之间的接线端子接点3和接线端子接点6与接线端子接点2之间的接线端子接点4组成闭环回路，由半导体热阻测试仪器T3ster测试通道端口Uch1测量在栅极G和源极S之间肖特基的电压变化，测出温度变化数值，测得的数据在计算机中利用半导体热阻测试仪器T3ster的数据处理软件Master和已知的热沉温度，根据所测温度变化曲线获得晶体管PHEMT的结温及到晶体管PHEMT安装面背板的热阻。