[发明专利]低成本晶圆级芯片尺寸硅通孔互连结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低成本晶圆级芯片尺寸硅通孔互连结构，包括带有焊垫的芯片，芯片背面形成有通孔，通孔的底部开口暴露焊垫；芯片背面及通孔的侧壁上覆盖有绝缘层，靠近通孔的顶部开口的绝缘层上及芯片背面铺设有金属线路层；芯片背面上的金属线路层上形成有钝化层，钝化层上开设有预植焊球的开口，通孔的底部开口暴露的焊垫表面上、通孔的顶部开口处的金属线路层上及开口内的金属线路层上化镀有金属层；通孔内填充满非电镀导电材料，开口内的金属层上植有焊球。本发明不需要化镀硅通孔侧壁，并可避免使用深孔物理气相沉积及深孔电镀，还可以提高硅通孔外接点扇出到芯片背面时连接的可靠性，具有成本低、工艺简单和可靠性高等优点。

主权项

1.一种低成本晶圆级芯片尺寸硅通孔互连结构，其特征在于：包括至少一正面带有焊垫(101)的芯片(1)，所述芯片背面形成有对应所述焊垫的通孔(3)，所述通孔的底部开口暴露所述焊垫；所述芯片背面及所述通孔的侧壁上覆盖有绝缘层(4)，靠近所述通孔的顶部开口的绝缘层上及所述芯片背面铺设有至少一层金属线路层(5)；所述芯片背面上的金属线路层上形成有钝化层(6)，所述钝化层上开设有预植焊球的开口(7)，所述通孔的底部开口暴露的焊垫表面上、所述通孔的顶部开口处的金属线路层上及所述开口内的金属线路层上采用化学镀的方法形成有一定厚度的金属层(8)；所述通孔内采用非电镀的方法填充满了导电材料(9)，所述开口内的金属层上植有焊球(10)。