[发明专利]参考电压发生装置

摘要

本发明公开了一种参考电压发生装置，涉及半导体技术领域。该参考电压发生装置包括：第一开关，连接在第一电源轨与输出节点之间；第二开关，连接在第二电源轨与输出节点之间；第一正反馈模块，用于向第一开关施加第一反馈信号，以控制第一开关的导通程度，当输出节点输出的参考电压增大时，使第一反馈信号电压增大；当参考电压减小时，使第一反馈信号电压减小；第二正反馈模块，用于向第二开关施加第二反馈信号，以控制第二开关导通程度，当输出节点输出的参考电压增大时，使第二反馈信号电压增大；当参考电压减小时，使第二反馈信号电压减小；第一开关和第二开关的耐受电压低于第一电源轨和第二电源轨两者之间提供的第一电源域电压。

主权项

1.一种参考电压发生装置，其特征在于，包括：第一开关，连接在第一电源轨与输出节点之间；第二开关，连接在第二电源轨与所述输出节点之间；第一正反馈模块，用于向所述第一开关施加第一反馈信号，以控制所述第一开关的导通程度；第二正反馈模块，用于向所述第二开关施加第二反馈信号，以控制所述第二开关导通程度；其中，当输出节点输出的参考电压增大时，第一正反馈模块使所述第一反馈信号电压增大，从而第一开关导通程度减小，并且第二正反馈模块使所述第二反馈信号电压增大，从而第二开关导通程度增大；当输出节点输出的参考电压减小时，第一正反馈模块使所述第一反馈信号电压减小，从而第一开关导通程度增大，并且第二正反馈模块使所述第二反馈信号电压减小，从而第二开关导通程度减小；其中，所述第一电源轨和第二电源轨两者之间提供第一电源域电压；所述第一开关和所述第二开关的耐受电压低于所述第一电源域电压；其中，所述第一正反馈模块根据所述输出节点输出的参考电压和比较电压的比较向所述第一开关施加所述第一反馈信号；所述第二正反馈模块根据所述输出节点输出的参考电压和比较电压的比较向所述第二开关施加所述第二反馈信号；其中，所述第一正反馈模块包括第一差分放大器；所述第一差分放大器的一个输入连接至所述输出节点，另一个输入接收比较电压；所述第一差分放大器的输出端输出所述第一反馈信号；其中，所述第一差分放大器包括：左支电路部分，包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其中，所述第一PMOS晶体管连接在第一节点和第二节点之间；所述第二PMOS晶体管连接在所述第一节点和所述第一电源轨之间；右支电路部分，包括第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管，其中，所述第三PMOS晶体管连接在所述第二节点和第三节点之间；所述第四PMOS晶体管连接在所述第三节点和所述第一电源轨之间；第一电流源，连接在所述第二节点和所述第二电源轨之间；其中，所述第一PMOS晶体管的栅极连接至所述输出节点，所述第三PMOS晶体管的栅极接收比较电压；所述第二PMOS晶体管的栅极连接至所述第三节点，所述第四PMOS晶体管的栅极连接至所述第一节点；所述第一节点作为所述输出端输出所述第一反馈信号；其中，所述第一电流源由NMOS晶体管形成；其中，所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第三PMOS晶体管、所述第四PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的耐受电压低于所述第一电源域电压；并且所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第三PMOS晶体管和所述第四PMOS晶体管的总等效阻抗与所述NMOS晶体管的等效阻抗相同。