[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610016629.4 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106960875B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;郑喆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底结构，该衬底结构包括衬底；在该衬底上的鳍片式结构，该鳍片式结构包括半导体层；包绕鳍片式结构的一部分表面的栅极绝缘物和位于栅极绝缘物上的栅极；分别位于栅极两侧的在半导体层中的源极和漏极；位于栅极的漏极侧的具有第一介电常数的第一电介质间隔物；以及位于栅极的源极侧的具有第二介电常数的第二电介质间隔物和具有第三介电常数的第三电介质间隔物，第三电介质间隔物和第二电介质间隔物中的一方在另一方之上；其中，第一介电常数和第三介电常数均小于第二介电常数。该半导体装置的栅极两侧的电介质间隔物的非对称结构可以提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底结构，所述衬底结构包括衬底；在所述衬底上的鳍片式结构，所述鳍片式结构包括半导体层；包绕所述鳍片式结构的一部分表面的栅极绝缘物和位于所述栅极绝缘物上的栅极；分别位于所述栅极两侧的在所述半导体层中的源极和漏极；位于所述栅极的漏极侧的具有第一介电常数的第一电介质间隔物；以及位于所述栅极的源极侧的具有第二介电常数的第二电介质间隔物和具有第三介电常数的第三电介质间隔物，所述第三电介质间隔物和所述第二电介质间隔物中的一方在另一方之上；其中，所述第一介电常数和所述第三介电常数均小于所述第二介电常数。
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