[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置，用以解决现有技术中源漏电极和有源层接触不良的问题，从而提高薄膜晶体管的稳定性。所述薄膜晶体管的制作方法，包括在衬底基板上形成有源层，其中所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度；采用构图工艺在所述有源层上形成栅极，在所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域在与源极和漏极电性相连的部分形成凹槽，且在所述凹槽处形成源极和漏极的图案。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：在衬底基板上形成有源层，其中所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度；采用构图工艺在所述有源层上形成栅极，在所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域在与源极和漏极电性相连的部分形成凹槽，且在所述凹槽处形成源极和漏极的图案；其中，在衬底基板上依次形成有源层，其中所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度，包括：在衬底基板上形成多晶硅层；采用一次构图和两次刻蚀的工艺，使所述多晶硅形成有源层的图案，所述有源层的图案中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度；其中，采用一次构图和两次刻蚀的工艺，使所述多晶硅形成有源层的图案，所述有源层的图案中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度，包括：在所述多晶硅层上涂覆光刻胶，并采用掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，其中所述光刻胶完全保留区域对应所述用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域，所述光刻胶部分保留区域对应所述用于形成源、漏极区域之间的半导体区域；第一次刻蚀所述光刻胶完全去除区域所对应的多晶硅层，使所述光刻胶完全去除区域所对应的多晶硅层完全去除；采用灰化工艺，灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶，且使光刻胶完全保留区域的光刻胶变薄；第二次刻蚀所述光刻胶部分保留区域所对应的多晶硅层，形成有源层的图案。