[发明专利]太阳能电池及制造太阳能电池的方法有效
申请号: | 201610017854.X | 申请日: | 2008-12-02 |
公开(公告)号: | CN105679843B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 阮信晓;丹尼斯·德塞斯特 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于背面接触太阳能电池(300)的多层防反射结构(310)。在背面接触太阳能电池(300)的正面上可以形成防反射结构(310)。防反射结构(310)可以包括钝化层(312)、在钝化层上的高吸光层(313)、在高吸光层(313)上的低吸光层(314)。钝化层(312)可包括在太阳能电池基底(102)的有纹理的表面上热生长的二氧化硅,该基底可以是N型硅基底。高吸光层(313)可以被配置来阻挡进入基底的UV辐射的至少10%。高吸光层(313)可以包括高k氮化硅,低吸光层(314)可以包括低k氮化硅。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括:在太阳能电池的正面上的有纹理的表面;形成在正面上的有纹理的表面上的钝化层;形成在钝化层上的高吸光层,所述高吸光层被配置来阻挡波长为400nm以及更短的入射光的至少10%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的