[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供一种在防止开口被闭塞的同时相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体；以及第3工序，在该第3工序中，利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。在该蚀刻方法中，重复执行包含第1工序、第2工序、以及第3工序的序列。

主权项

1.一种蚀刻方法，其通过针对被处理体进行的等离子体处理来相对于由氮化硅构成的第2区域而选择性地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻，其中，/n所述被处理体具有划分出凹部的所述第2区域、以将该凹部填埋且覆盖所述第2区域的方式设置的所述第1区域、以及设置在所述第1区域上的掩模，/n该蚀刻方法包括以下工序：/n第1工序，在该第1工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而在所述被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；/n第2工序，在该第2工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体，从而使得在所述被处理体上形成的所述堆积物的量减少；以及/n第3工序，在该第3工序中，利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对所述第1区域进行蚀刻，/n重复执行包含所述第1工序、所述第2工序、以及所述第3工序的序列，/n在所述序列中，在所述第1工序与所述第3工序之间执行所述第2工序，/n所述序列还包括另一工序，在该另一工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体，/n其中，在所述第3工序之后执行所述另一工序。/n