[发明专利]一种半导体器件以及制备方法、电子装置有效

申请号：	201610018229.7	申请日：	2016-01-12
公开（公告）号：	CN106960817B	公开（公告）日：	2020-02-11
发明（设计）人：	由云鹏;刘辉;孟令成	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234;H01L27/088
代理公司：	11336 北京市磐华律师事务所	代理人：	高伟;冯永贞
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明涉及一种半导体器件以及制备方法、电子装置。所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，半导体衬底包括高压器件区域和低压器件区域，在高压器件区域上形成有图案化的高压栅极氧化物层；步骤S2：在低压器件区域上和高压栅极氧化物层的两侧形成低压栅极氧化物层；步骤S3：在低压栅极氧化物层上形成低压栅极结构及其间隙壁，同时形成高压栅极结构及其间隙壁，其中在高压器件区域中所述间隙壁和高压栅极结构的关键尺寸之和等于高压栅极氧化物层的关键尺寸；步骤S4：在所述高压器件区域和所述低压器件区域形成金属硅化物阻挡层并图案化；步骤S5：去除露出的所述低压栅极氧化物层；步骤S6：在所述区域和所述高压栅极结构上形成自对准硅化物。
搜索关键词：	一种半导体器件以及制备方法电子装置
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【主权项】：

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：/n步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区域和低压器件区域，在所述高压器件区域的半导体衬底上形成有图案化的高压栅极氧化物层；/n步骤S2：在所述低压器件区域的半导体衬底上和所述高压栅极氧化物层的两侧形成低压栅极氧化物层；/n步骤S3：在所述低压栅极氧化物层上形成低压栅极结构及其间隙壁，同时在所述高压栅极氧化物层上形成高压栅极结构及其间隙壁，其中在所述高压器件区域中所述间隙壁的关键尺寸和所述高压栅极结构的关键尺寸之和等于下方的所述高压栅极氧化物层的关键尺寸；/n步骤S4：在所述高压器件区域和所述低压器件区域形成金属硅化物阻挡层并图案化，以露出所述低压栅极结构两侧的所述低压栅极氧化物层和所述高压栅极结构；/n步骤S5：去除露出的所述低压栅极氧化物层，以露出要形成自对准硅化物的区域；/n步骤S6：在露出的所述区域和所述高压栅极结构上形成自对准硅化物；/n所述制备方法使得定位金属硅化物阻挡层位置的光刻胶保持形貌上的稳定性，不会发生光刻胶脱落的缺陷，避免电路失效。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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