[发明专利]堆叠器件以及相关的布局结构有效
| 申请号： | 201610018400.4 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105810681B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郭大鵬;卡洛斯·H·迪亚兹;王志豪;让-皮埃尔·科林格 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了堆叠器件和通过堆叠器件形成的电路。根据一些实施例，半导体柱从衬底垂直延伸。第一源极/漏极区域在半导体柱中。第一栅电极层横向环绕半导体柱并且垂直位于第一源极/漏极区域上方。第一栅极介电层夹置在第一栅电极层和半导体柱之间。第二源极/漏极区域在半导体柱中并且垂直位于第一栅电极层上方。第二源极/漏极区域连接至电源节点。第二栅电极层横向环绕半导体柱并且垂直位于第二源极/漏极区域上方。第二栅极介电层夹置在第二栅电极层和半导体柱之间。第三源极/漏极区域在半导体柱中并且垂直位于第二栅电极层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 器件 以及 相关 布局 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：第一半导体柱，从衬底处垂直延伸；第一源极/漏极区域，位于所述第一半导体柱中；第一栅电极层，横向环绕所述第一半导体柱并且垂直位于所述第一源极/漏极区域上方，第一栅极介电层夹置在所述第一栅电极层和所述第一半导体柱之间；第二源极/漏极区域，位于所述第一半导体柱中并且垂直位于所述第一栅电极层上方，所述第二源极/漏极区域连接至电源节点；第二栅电极层，横向环绕所述第一半导体柱并且垂直位于所述第二源极/漏极区域上方，第二栅极介电层夹置在所述第二栅电极层和所述第一半导体柱之间；以及第三源极/漏极区域，位于所述第一半导体柱中并且垂直位于所述第二栅电极层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
