[发明专利]高信噪比霍尔传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610018561.3 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105449098A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈笛;赵柏秦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14;G01R33/07;G01R33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于砷化镓二维异质结结构的线型霍尔传感器及其制备方法，其元件设计以Siδ掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱为基本结构，并通过钝化，光刻，腐蚀，蒸金，退火等半导体工艺进行制备。本发明针对一般金属化合物气相外延(MOCVD)的生长条件，通过对沟道两侧进行双δ掺杂，在牺牲较少电子迁移率的前提下，提高沟道的有效电子浓度，同时在结构和工艺上降低表面和其他外延层的电导作用，提高霍尔元件的信噪比和灵敏度，从而使之适用于常温下最低至10-7T量级的弱磁测量领域。 | ||
| 搜索关键词： | 高信噪 霍尔 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于砷化镓二维异质结结构的线性霍尔传感器，包括GaAs/AlGaAs二维异质结量子阱结构和电极，其中GaAs/AlGaAs二维异质结量子阱结构包括：半绝缘砷化镓衬底，在衬底表面60nm‑150nm的GaAs缓冲层；缓冲层往上依次的外延结构为50‑60nm的Al0.3Ga0.7As势垒层；Siδ掺杂层；6nm的Al0.3Ga0.7As隔离层；Siδ掺杂层；6nm的Al0.3Ga0.7As隔离层；20‑60nm的GaAs沟道；6nm的Al0.3Ga0.7As隔离层；Siδ掺杂层；6nm的Al0.3Ga0.7As隔离层；Siδ掺杂层；25nm的Al0.3Ga0.7As势垒层；10‑30nm的GaAs帽层；在材料表面生长300nmSiO2或Si3N4钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610018561.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
