[发明专利]一种采用升华法高速制造碳化硅晶体的装置及方法有效
| 申请号： | 201610018927.7 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105525352B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 星野政宏;张乐年 | 申请（专利权）人： | 台州市一能科技有限公司;星野政宏 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所(普通合伙) 33107 | 代理人： | 孙圣贵 |
| 地址： | 318000 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种采用升华法高速制造碳化硅晶体的装置及方法，属于机械技术领域。它解决了如何提高碳化硅晶体生长速度的问题。本装置包括供外部气体和/或液体输入的管道，管道能够输出气体到坩埚的内腔，坩埚内腔的底部设置有与上述管道相连通的供气装置，坩埚内腔的上部设置有用于安装籽晶的籽晶固定器，籽晶固定器能够转动，且籽晶固定器具有相对水平方向倾斜的安装面。本制造装置通过设置管道、供气装置、将籽晶保持倾斜状态、设置驱动结构、以及能够产生不同温度的加热器，通过以上结构再配以制造方法和制造原料，能够制造出生长速度快且高品质的碳化硅晶体，提高了生产效率，降低了生产成本，从而有助于推动整个碳化硅产业的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 籽晶固定器 高速制造 供气装置 坩埚内腔 升华法 籽晶 制造 机械技术领域 加热器 倾斜状态 驱动结构 生产效率 输出气体 外部气体 液体输入 制造装置 生长 安装面 高品质 碳化硅 内腔 坩埚 生产成本 转动 | ||
【主权项】：
1.一种采用升华法高速制造碳化硅晶体的装置，其特征在于，包括供外部气体和/或液体输入的管道(G)，所述管道(G)能够从坩埚(1)的底部输出气体到坩埚(1)的内腔且输出的气体能够使坩埚(1)内的碳化硅粉末原料浮游或移动。
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