[发明专利]用于碳化硅晶体高速生长的原料及碳化硅晶体的生长方法有效
| 申请号： | 201610018942.1 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105603530B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 星野政宏;张乐年 | 申请（专利权）人： | 台州市一能科技有限公司;星野政宏 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所(普通合伙)33107 | 代理人： | 孙圣贵 |
| 地址： | 318000 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于碳化硅晶体高速生长的原料及碳化硅晶体的生长方法，属于半导体技术领域。为了解决现有的碳化硅晶体生升速度差和效率低的问题，提供一种用于碳化硅晶体高速生长的原料及碳化硅晶体高速生长的方法，该原料含有碳化硅粒子，且所述碳化硅粒子的平均粒径小于5μm或采用至少两种不同形状和/或至少两种不同粒径的碳化硅粒子混合而形成的混合原料，且所述原料中至少含有一种平均粒径小于5μm的碳化硅粒子。且碳化硅晶体生长方法包括将上述原料放入坩埚内，加热坩埚使坩埚内的原料升华后再结晶，得到碳化硅晶体。能够达到提高升华速度和效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 晶体 高速 生长 料及 方法 | ||
【主权项】：
一种用于碳化硅晶体高速生长的原料，其特征在于，该原料含有碳化硅粒子，且所述碳化硅粒子的平均粒径小于5μm。
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