[发明专利]GaN器件的制作方法及GaN器件有效
| 申请号： | 201610019563.4 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105655236B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN器件的制作方法及GaN器件。该方法包括：提供生长衬底，在生长衬底的上表面和下表面分别制作多个孔洞；在生长衬底的上表面形成外延片，外延片包括位于生长衬底的上表面孔洞上横向生长的成核层和位于成核层上的GaN器件结构；在外延片上的预定区域制作贯通外延片的第一通孔，并在第一通孔内沉积金属；提供支撑基材，将支撑基材与外延片粘合固定；对生长衬底的下表面进行减薄以去除下表面的孔洞，并在生长衬底的下表面相对第一通孔的位置制作贯通生长衬底的第二通孔，在第二通孔内沉积金属，第一通孔与第二通孔相连通；移除支撑基材。本发明能够实现GaN器件的接地通孔制作同时降低影响GaN器件性能的风险。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN器件的制作方法，其特征在于，包括：提供生长衬底，在所述生长衬底的上表面和下表面分别制作多个孔洞；在所述生长衬底的上表面形成外延片，所述外延片包括位于所述生长衬底的上表面孔洞上横向生长的成核层和位于所述成核层上的GaN器件结构；在所述外延片上的预定区域制作贯通所述外延片的第一通孔，并在所述第一通孔内沉积金属；提供支撑基材，将所述支撑基材与所述外延片粘合固定；对所述生长衬底的下表面进行减薄以去除所述下表面的孔洞，并在所述生长衬底的下表面相对所述第一通孔的位置制作贯通所述生长衬底的第二通孔，在所述第二通孔内沉积金属，所述第一通孔与所述第二通孔相连通；移除所述支撑基材。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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