[发明专利]具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法在审
| 申请号： | 201610019752.1 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105514156A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 薛世伟;王玲;李晓娟;王继强;谢晶;张燕;刘诗嘉;李向阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本发明的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 异质结 结构 gan 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，其特征在于：所述场效应管的结构为:在具有异质结结构的多层外延材料上通过电子束蒸发制备源端电极(1)、漏端电极(4)和栅电极(3)，从而得到利用空穴导电的场效应管器件；场效应管衬底为Al2O3衬底(8)，多层外延材料为在AlGaN材料(7)上依次外延生长的p型AlGaN(6)和p型GaN(5)，其中：p型GaN层的厚度为10nm～30nm，载流子浓度为1017～1018/cm3；p型AlGaN层的厚度为0.1um～0.3μm，载流子浓度为1×1017～5×1017/cm3。
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