[发明专利]一种四硼酸锂晶体的制备方法及生长设备在审
| 申请号： | 201610020485.X | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105624781A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;陈伟 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种四硼酸锂晶体制备方法及生长设备，所述生长设备包括上炉膛有个炉盖，所述炉盖上面有两个和炉管中心对称的观察孔，用于观察接种和晶体生长。所述晶体制备方法包括以下步骤：原料装入开口坩埚，坩埚置于下加热区和中间区边界处，通过人眼观察试晶，接种以及晶体生长，待晶体长至坩埚壁，坩埚和籽晶杆开始以相同速率往上升，当坩埚升至上加热区和中间区边界处，停止上升，开始退火，得到晶体。该方法保证了晶体百分百成功接种，有利于晶体后期高质量生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硼酸 晶体 制备 方法 生长 设备 | ||
【主权项】：
一种制备四硼酸锂晶体的生长设备，其特征在于，包括上炉膛有个炉盖，所述炉盖上面有两个和炉管中心对称的观察孔；所述生长设备还包括炉膛由三个不同的温度区组成，至上而下温度升高，中间区温度梯度为1~15℃所述生长设备还包括籽晶杆和坩埚托，所述籽晶杆连着可上升、下降和转动的电机，所述坩埚托连着可上升和下降的电机。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建福晶科技股份有限公司，未经福建福晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610020485.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铥、钬掺杂钽酸铋发光材料及其晶体生长方法
- 下一篇：强阳保肾丸
