[发明专利]半导体背面用切割带集成膜在激光标识中的应用有效

专利信息
申请号: 201610020536.9 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN105666976B 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: B32B7/12 分类号: B32B7/12;B32B27/08;B32B37/12
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法,及生产半导体器件的方法。本发明涉及半导体背面用切割带集成膜,其包括:切割带,所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层;和半导体背面用膜,所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上,其中所述切割带具有至多45%的雾度。
搜索关键词: 半导体 背面 切割 集成 生产 方法 半导体器件
【主权项】:
1.倒装芯片型半导体背面保护用切割带集成膜在激光标识中的应用,所述倒装芯片型半导体背面保护用切割带集成膜包括:切割带,所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材的所述凹凸加工面上的压敏粘合剂层;和半导体背面用膜,所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上,所述半导体背面用膜在可见光区域的透光率为0‑20%,且所述半导体背面用膜是着色的,其中所述切割带具有至多45%的雾度,所述倒装芯片型半导体背面保护用切割带集成膜以卷绕成卷形物的形式形成,所述半导体背面用膜的吸湿率为1重量%以下,所述吸湿率为由将半导体背面用膜在温度85℃和湿度85%RH的气氛下静置168小时前后的重量变化计算的值,所述半导体背面用膜对半导体晶片的粘合力在23℃,剥离角180度,剥离速率300mm/min条件下,为0.5N/20mm至15N/20mm。
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