[发明专利]一种基于氟化锂缓冲层的光敏有机场效应管薄膜封装技术

摘要

本发明的目的是提供一种基于氟化锂缓冲层的有机场效应管薄膜封装技术。其特征在于，氟化锂可以用真空热蒸发方法制备，不仅不会对下面的有机功能层产生损伤，而且与有机器件制备工艺兼容。本发明提供的制备上述基于氟化锂缓冲层的光敏有机场效应管薄膜封装技术，包括以下步骤：①在待封装有机光敏场效应管上用真空热蒸发方法制备氟化锂缓冲层；②在氟化锂缓冲层上面用溅射或旋涂方法制备封装薄膜。

主权项

1.一种基于氟化锂缓冲层的光敏有机场效应管薄膜封装方法，其特征在于包括如下步骤：1)以镀有二氧化硅的重掺杂硅为衬底，在其上面依次用真空热蒸发方法制备并五苯薄膜和金薄膜源极和漏极；2)采用真空热蒸镀的方法制备氟化锂缓冲层，以钼舟作为氟化锂加热源，真空度高于1×10‑3帕斯卡，蒸发速率为6埃/秒，时间1小时，制备的氟化锂薄膜为2μm；3)采用磁控溅射的方法制备氧化铒封装薄膜，磁控溅射的工作气压为0.75帕斯卡，真空度高于5.0×10‑4帕斯卡，溅射功率为140瓦，淀积速率为3.3埃/秒，沉积时间为40分钟，制备的氧化铒薄膜的厚度为800nm。