[发明专利]导体、电子器件、和制造导体的方法有效
| 申请号： | 201610020737.9 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105845842B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 尹桐振;朴成熏;金成宪;李香淑;白云仲;权映男;金瑢洙;郑在官 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/00;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
导体，其包括：多个金属纳米结构体；和有机材料，其中包围各金属纳米结构体的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，和所述导体具有小于或等于1.1的雾度、在550纳米下大于或等于85％的光透射率、和小于或等于100欧姆/平方的薄层电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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